삼성전자, 최고 성능 HBM4 세계 첫 양산-출하

엔비디아 AI칩 ‘루빈’ 등 탑재 예정
하반기엔 차세대 HBM4E 출하 목표

삼성전자가 세계 최초로 양산 출하했다고 밝힌 HBM4 제품. 삼성전자 제공

삼성전자가 세계에서 가장 먼저 고대역폭메모리(HBM) 6세대(HBM4)를 양산·출하하기 시작했다고 12일 밝혔다. SK하이닉스와 마이크론을 제치고 글로벌 D램 주요 3사 중 가장 먼저 최신 인공지능(AI)칩에 탑재되는 차세대 메모리 반도체를 대량 생산했다고 강조한 것이다.

HBM4는 올해 출시 예정인 엔비디아 ‘루빈’과 AMD ‘MI450’ 등 AI 칩에 탑재되는 차세대 HBM이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 올려 데이터 처리 용량과 속도를 높인 제품으로 AI 칩의 핵심 부품이다.

삼성전자는 이날 HBM4에 반도체 회로 선폭이 10nm(나노미터·1나노미터는 10억분의 1m)급인 6세대 D램 미세 공정(1c)을 적용했다고 밝혔다. 이는 5세대 공정(1b)을 적용한 SK하이닉스보다 한 단계 앞선 것이다. 반도체는 공정이 미세해질수록 집적도가 높아져 데이터 처리 속도가 빨라지고 전력 효율이 높아진다. 다만 그만큼 수율(정상품 비율) 관리가 어려워지는데, 삼성전자의 이번 양산 및 출하 발표는 그동안 제기된 시장의 우려를 잠재운 것이란 평가가 나온다.

삼성전자는 HBM의 두뇌 역할을 하는 ‘베이스 다이(기판)’에도 성능과 전력 효율에서 유리한 4나노 공정을 적용했다고 밝혔다. 이와 관련해 삼성전자는 “국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준인 초당 8기가비트(Gb)보다 46% 높은 초당 11.7Gb의 동작 속도를 안정적으로 확보했다”고 강조했다.

삼성전자는 “올해 HBM 매출이 전년 대비 3배 이상 증가할 것”이라며 올 하반기(7∼12월) HBM 7세대(HBM4E) 샘플도 출하하겠다고 밝혔다. 내년부터는 고객 요구에 맞춘 맞춤형 HBM도 선보일 예정이다. 또 2028년 가동 예정인 평택사업장 2단지 5라인을 HBM 생산 핵심 거점으로 삼겠다고 강조했다.

이번 HBM4 양산 출하를 계기로 삼성전자가 빅테크 고객사들의 인정을 받는 데 성공했다는 평가도 나온다. 당초 설 연휴 이후 출하 예정에서 설 전으로 빨라진 것도 엔비디아 등 고객사의 요구에 따른 것으로 알려졌다.