[한국경제 새 길을 찾다/SK하이닉스]올해만 7조원 투자… 글로벌 메모리 시장 선도

SK하이닉스는 기술경쟁력 강화를 통해 글로벌 시장에서의 선도적 위치를 지켜나간다는 방침이다.

박성욱 SK하이닉스 부회장은 4차 산업혁명의 소용돌이 속에서 빠른 변화 대응 역량이 기업 경쟁력으로 부상하고 있다는 점을 늘 강조하고 있다. SK하이닉스 역시 딥 체인지(Deep Change)를 통해 새로운 가능성을 확보해야 할 시점이라고 주문한다. 이에 SK하이닉스는 올해 기술 중심 회사로의 입지를 강화하면 지속 성장 기반을 다지는 데 집중할 계획이다.

D램은 현재의 20나노급 제품 대비 원가절감 효과가 큰 10나노급 제품을 올해 3분기(7∼9월) 중 양산할 계획이다. 이를 통해 D램 사업에서 수익성을 극대화하고 모바일 및 서버 D램 분야에서의 기술리더십을 더욱 강화한다.

SK하이닉스는 4월 세계 최고 속도의 GDDR6(Graphics DDR6) 그래픽 D램을 개발해 고품질, 고성능 그래픽 메모리 시장에 대응하고 있다. 이 제품은 핀(Pin)당 16Gbps 속도로 데이터 처리가 가능하다. 기존 GDDR5 대비 최고 속도가 두 배 빠르면서 동작 전압도 10% 이상 개선됐다. 향후 인공지능(AI), 가상현실(VR), 자율주행차, 고화질 디스플레이 지원 등 차세대 성장 산업에서 필수적인 메모리 솔루션으로 활용될 것으로 전망된다.

낸드플래시는 기존 16나노 제품보다 공정을 더욱 미세화한 14나노 제품 비중을 확대해 수익성을 강화하고 있다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체다. 연말에는 SK하이닉스의 전체 낸드플래시 중 3차원(3D) 공정 제품이 차지하는 비중이 2D를 넘어설 것으로 전망된다. SK하이닉스는 최근 72단 256Gb(기가비트) 3D 낸드플래시 개발에 성공했다. 칩 내부에 고속 회로 설계를 적용해 동작 속도를 2배로 높이고, 읽기와 쓰기 성능도 20%가량 향상시켰다.

SK하이닉스는 기술 경쟁력 강화를 위해 지난해 6조2920억 원을 투자한데 이어 올해는 사상 최대 규모인 7조 원 수준의 투자를 계획하고 있다. 낸드플래시 수요 확대에 대응하기 위해 2019년 6월까지 2조2000억 원을 투자해 충북 청주에 최첨단 반도체 공장을 건설할 예정이다.

연구개발(R&D)비도 지난해 매출액 대비 12.2%에 달하는 2조967억 원을 집행했다. 처음으로 2조 원을 넘긴 것이다. 올해 1분기(1∼3월)에도 5920억 원을 R&D에 투자했다. SK하이닉스 관계자는 “기술 집약 산업인 메모리 반도체 산업의 주도권을 지키기 위해 전략적 투자를 이어가고 있다”며 “과감한 R&D 투자를 통해 글로벌 메모리 시장을 선도하는 업체로 위상을 높여나갈 것”이라고 말했다.

신수정 기자 crystal@donga.com