현대전자，차세대 반도체 Ｆ램 개발 착수

메모리 반도체인 D램에 이은 차세대 메모리로 F램의 개발이 국내에 서서히 활기를 띠고 있다. F램은 컴퓨터 사용중 전원이 나가버리면 작업중인 데이터가 그냥 날아가버리는 단점을 보완하는 메모리칩. 이미 개발된 「플래시메모리」는 이런 단점을 극복했지만 속도가 느린 것이 최대의 흠인데 F램은 전원이 나가도 데이터가 자동으로 보관되고 처리속도도 D램만큼 빠르다. 현대전자는 F램 개발을 본격화하기 위해 최근 경기 가남에 2천억원을 들여 반도체연구동을 완공하고 곧 운영에 들어갈 계획이라고 16일 밝혔다. 가장 먼저 F램 개발에 들어간 삼성전자는 연내에 개발을 끝내고 내년쯤 양산할 계획이며 LG반도체도 개발착수를 검토중이다. 현재 F램 개발에 가장 앞선 곳은 일본 업체들로 2백56K F램을 내놓고 있지만 국내 업체들이 개발중인 것은 1M F램 이상급이다. 업계의 한 관계자는 『F램이 현재의 D램을 점차 대체해 나갈 것으로 본다』며 『개발과정에서 국내업체들이 얻는 기술효과도 클 것』이라고 말했다. 〈박현진기자〉