SK하이닉스, 세계 최고 성능 D램 ‘HBM3E’ 개발… 엔비디아 성능 검증 돌입

‘엔비디아’에 샘플 공급 개시
AI용 초고성능 D램 신제품
내년 상반기 양산 목표
“5GB 영화 230편 데이터 1초 만에 처리” 성능
“성능·발열·호환성 등 엔비디아 요건 충족”

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SK하이닉스는 인공지능(AI)용 초고성능 D램 제품으로 개발한 ‘HBM3E’가 성능 검증 절차에 돌입했다고 21일 밝혔다. 고객사를 대상으로 샘플 공급을 시작했다고 한다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품이다. 고성능 제품으로 1세대 HBM을 시작으로 2세대 HBM2, 3세대 HBM2E, 4세대 HBM3 순이다. 이번 5세대 HBM3E는 4세대 HBM3의 확장(Extended) 버전이다.

SK하이닉스 관계자는 “HBM3를 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 확장 버전인 HBM3E를 개발하는데 성공했다”며 “업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 내년 상반기부터 HBM3E 양산을 본격화해 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확보히 할 것”이라고 설명했다.

SK하이닉스에 따르면 이번 HBM3E는 AI용 메모리 필수 사양인 속도는 물론 발열 제어와 고객 사용 편의 등 모든 측면에서 세계 최고 기술 수준을 충족시켰다. 속도의 경우 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD(FHD)급 영화(5기가바이트 기준) 230편 이상 분량 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이라고 한다.

여기에 어드밴스드 MR-MUF 최신 기술을 적용해 제품 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정을 말한다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적인 것으로 평가받는다.

또한 하위 호환성(Backward compatibility)도 갖춰 HBM3를 기반으로 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 HBM3E 적용이 가능하다고 SK하이닉스 측은 강조했다.

이안 벅(Ian Buck) 엔비디아하이프스케일 HPC(Hyperscale and HPC) 담당 부사장은 “엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션(Accelerated Computing Solutions)용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다”며 “앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이기 위해 HBM3E 분야에서 협업이 지속되길 기대한다”고 말했다.

류성수 SK하이닉스 DRAM상품기획담당 부사장은 “HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광받고 있는 HBM 시장에서 제품 라인업 완성도를 높이면서 시장 주도권을 확고히 할 수 있게 됐다”며 “고부가 제품인 HBM 공급 비중이 높아져 실적 반등 흐름이 가속화될 것으로 기대한다”고 전했다.

동아닷컴 김민범 기자 mbkim@donga.com