나노급 4세대 모바일 D램 양산… 경쟁력 한발 앞으로

[혁신에서 길을 찾다]
SK하이닉스

SK하이닉스는 글로벌 팬데믹과 무역 갈등의 격화로 인해 불확실성이 커진 경영환경 속에서도 신속한 선도 기술의 개발과 주력 제품의 안정적인 양산, 제품 포트폴리오 강화 등으로 실적을 높인다는 계획이다.

SK하이닉스는 7월 12일 10 나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 시작했다고 밝혔다. 이 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 최첨단 노광 기술인 EUV(극자외선) 공정 기술을 통해 양산된다. 최근 반도체 공정이 극도로 미세화되면서 기업들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇달아 도입하고 있다. 업계에서는 앞으로 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는 중요한 요소가 될 것으로 보고 있는 만큼, 이번 양산을 통해 SK하이닉스는 한 단계 진보된 기술력을 확보하게 됐다.

특히 나노급 1a LPDDR4 모바일 D램은 기존 제품 대비 전력 소비를 20% 정도 줄여준다. 또한 이전 세대의 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어나 생산성도 크게 향상됐다.

또한 SK하이닉스는 지난해 10월 세계 최초로 DDR5 D램을 출시했다. 이 제품은 전송 속도가 이전 세대인 DDR4보다 1.8배 빨라졌고, 전력 소비도 20% 정도 줄었다. 또한 칩 내부에 오류정정회로(ECC·Error Correcting Code)를 내장해 여러 원인에 의해 발생할 수 있는 오류를 스스로 보정할 수 있게 했다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 DDR5의 수요는 올해부터 본격적으로 발생해 2022년에는 전체 D램 시장의 8%, 2025년에는 48%로 지속 확대될 것으로 예상된다.

SK하이닉스 관계자는 “올해 전 세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 기대된다. 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산할 것”이라며 “EUV 공정 기술과 DDR5 D램 생산 기술 등을 바탕으로 반도체 트렌드 변화에 빠르게 대응하겠다”고 말했다.


변종국 기자 bjk@donga.com