삼성전자, 70나노 4Gb 플래시 메모리 세계 첫 대량생산

입력 2005-05-31 03:07수정 2009-10-01 19:13
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삼성전자는 30일 세계 최초로 70나노 4Gb(기가비트) 낸드 플래시 메모리의 대량생산을 시작했다고 밝혔다.

이 제품은 하나의 셀에 1개의 데이터를 저장하는 ‘SLC(Single Level Cell)’ 기술을 적용했다.

셀(Cell) 면적은 0.025제곱마이크로미터로 이는 성인 머리카락 단면 평균면적(7853제곱마이크로미터)의 31만4000분의 1에 해당된다.

70나노 공정은 90나노 공정에 비해 제조원가를 65% 줄일 수 있다는 장점을 갖고 있다.

삼성전자 측은 “플래시 메모리 분야에서 1Gb, 2Gb에 이어 4Gb 제품에 이르기까지 3세대 연속 세계 최초 양산에 성공했다”고 설명했다. 이 회사는 또 이날 반도체 업계의 첫 플래시 메모리 전용 300mm 라인인 14라인의 가동을 시작했다.

300mm 웨이퍼는 기존 200mm에 비해 칩 생산량이 2.25배 많기 때문에 메모리 분야 경쟁력이 더욱 강화될 전망이다.

김두영 기자 nirvana1@donga.com




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