하이닉스, 3중셀 32Gb 낸드플래시 세계 최초 개발

하이닉스반도체는 3일 세계 처음으로 3중셀 기술을 이용한 32기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리(사진) 개발에 성공했다고 밝혔다.

3중셀(3bit per cell)은 반도체 저장공간의 최소 단위인 셀 하나에 3비트의 정보를 담는 기술을 말한다.

기존 제품은 한 셀에 1비트를 담는 싱글레벨셀(SLC), 2비트를 담는 멀티레벨셀(MLC)인 데 반해 3중셀은 이보다 많은 정보를 담을 수 있어 반도체의 대용량화와 소형화에 유리하다고 회사 측은 설명했다.

하이닉스는 이 기술을 기반으로 48nm(나노미터·1nm는 10억 분의 1m) 공정기술을 적용한 32Gb 낸드플래시 메모리를 10월부터 생산할 계획이다.

이 제품을 8개 묶은 32기가바이트(GB) 상용 칩 패키지는 MP3 음악파일 8000곡, DVD영화 20편, 일간신문 200년치에 해당하는 정보를 저장할 수 있다.

하이닉스는 이번 개발에 적용한 MSP(Memory Signal Processing) 기술을 활용하면 반도체 공정 미세화의 한계를 맞더라도 대용량 반도체를 개발할 수 있는 길이 열릴 것으로 기대했다.

회사 측은 “셀 간의 간섭현상을 없애는 데 성공해 기존의 MLC 제품과 동일한 신뢰도를 확보했다”며 “MSP 기술은 향후 4중셀 등 차세대 제품으로 확장 적용도 가능하다”고 설명했다.

김용석 기자 nex@donga.com