삼성전자 “이젠 P램이다”… 하반기 512Mb급 양산계획

전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않고 처리 속도도 빠른 차세대 반도체인 P램(Phase Change RAM)의 양산 경쟁이 본격화될 것으로 보인다.

11일 반도체 업계에 따르면 삼성전자와 인텔 등 국내외 반도체 업계가 P램 양산을 위한 준비에 박차를 가하고 있다.

P램은 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 플래시 메모리의 장점과 처리 속도가 빠른 D램의 장점을 모두 갖춰 ‘퍼펙트(perfect) 램’으로도 불린다.

삼성전자는 올해 2분기(4∼6월)에 90나노 기술이 적용된 256Mb(메가비트)와 512Mb P램(사진) 샘플을 주요 휴대전화 업체에 공급할 예정이다.

삼성전자는 2005년 256Mb P램을 개발한 데 이어 지난해 512Mb P램을 개발했으며, 이르면 올해 하반기나 내년 초부터 양산에 들어갈 계획이다.

삼성전자는 P램을 미래의 신성장 엔진 역할을 담당할 차세대 반도체로 중점 개발할 방침이다.

지난해 9월 90나노 기술을 적용해 만든 128Mb P램 시제품을 선보인 인텔도 올해 상반기 중 P램의 첫 샘플을 주요 업체에 공급하고 시장 상황에 따라 이르면 연내에 제품 양산에 착수할 계획이다.

하이닉스반도체를 비롯한 세계 주요 반도체 업체들도 P램 연구개발을 진행하고 있다.

김선우 기자 sublime@donga.com