하이닉스, 7월부터 0.1μm 초미세기술 적용 반도체 양산

하이닉스반도체는 0.10마이크로미터(μm·1μm는 100만분의 1m)의 초미세 회로선폭 메모리 반도체를 7월부터 양산한다고 12일 밝혔다.

하이닉스는 기존 생산라인에 이 같은 신기술을 적용해 7월부터 256메가 더블데이터레이트(DDR) SD램(사진)을 본격적으로 생산키로 했다. 512메가 DDR SD램과 1기가 DDR SD램은 8월과 11월 각각 양산을 시작한다.

이미 0.13μm 공정의 반도체를 생산중인 하이닉스는 “0.10μm 제품 양산을 계기로 웨이퍼 당 칩 생산량을 40% 이상 늘릴 수 있어서 흑자 전환 전망이 한층 밝아졌다”고 밝혔다. 이 기술은 새로운 생산설비를 쓰지 않고 기존 장비를 활용한다.

김태한기자 freewill@donga.com