30나노급 이하 고성능 메모리 제조법 개발

김상욱 KAIST 교수팀

물질이 스스로 형태를 바꾸는 ‘자기조립’ 현상을 이용해 고성능 메모리를 만드는 방법이 국내에서 개발됐다.

KAIST 신소재공학과 김상욱 교수(사진) 팀은 “차세대 신소재인 탄소나노튜브가 스스로 반도체 회로와 비슷한 구조를 만들도록 하는 데 성공했다”며 “이 성질을 이용하면 고성능 반도체칩을 만들 수 있다”고 22일 밝혔다. 이번 연구 결과는 영국왕립화학회가 발행하는 학술지 ‘소프트매터’가 촉망받는 젊은 과학자 18명을 뽑아 소개한 ‘신진과학자 특집호’의 표지에 게재되는 논문으로 소개됐다.

연구팀은 아주 가는 관(管) 모양의 탄소덩어리인 탄소나노튜브들이 서로 얽혀 전기가 통하는 그물 모양의 구조를 형성한다는 사실을 확인했다. 이런 성질을 활용하면 지금보다 선폭이 더 작은 반도체칩을 만들 수 있다.

전동혁 동아사이언스 기자 jermes@donga.com