삼성전자, 저전력S램 대량생산 성공

삼성전자는 회로간 폭이 0.15㎛(1㎛은 100만분의 1m)인 미세 가공공정을 적용한 저전력 S램 제품의 대량생산에 세계 처음으로 성공해 전 세계 휴대전화 제조업체에 공급한다고 11일 밝혔다.

이 제품은 8메가비트의 대용량이면서도 1㎂ 이하의 저전력만을 소모해 인터넷 접속과 동영상 전송 등 대용량 데이터 처리를 요구하는 차세대 휴대전화인 IMT―2000 휴대전화에 사용될 전망이다.

또 기존의 0.20㎛ S램 제품 설비에 단위공정 및 집적공정을 개발해 0.15㎛ 제품을 생산함으로써 시설교체에 따른 설비투자비를 줄여 생산성을 60% 이상 높였다는 것.

삼성전자 관계자는 “이번 양산으로 1세대 아날로그 휴대전화와 2세대 디지털 휴대전화에 이어 3세대 IMT―2000용 S램 제품시장을 선점, 95년부터 유지해온 S램 반도체 1위 자리를 더욱 굳히게 됐다”고 말했다.

삼성전자는 이번 0.15㎛ S램 양산으로 올해 15억달러로 예상되는 S램 매출을 내년에는 18억달러로 늘려 세계 S램시장 점유율을 26%로 올릴 계획이라고 말했다.

삼성전자는 2002년에는 회로폭을 0.12㎛, 2003년에는 0.10㎛까지 줄이는 제품을 양산한다는 목표를 세우고 있다.

<구자룡기자>bonhong@donga.com