이재용 회장, 반도체 R&D-제조시설 현장 점검

기흥-화성 캠퍼스 잇달아 방문
美 출장서 귀국후 일주일 만에
‘반도체 슈퍼사이클’ 대비 행보

이재용 삼성전자 회장(앞)이 22일 삼성전자 기흥캠퍼스 내 첨단 복합 반도체 연구개발(R&D) 센터인 ‘NRD-K’ 클린룸 시설을 살펴보고 있다. 이 회장은 이날 기흥과 화성 반도체 캠퍼스를 찾아 차세대 반도체 기술 경쟁력을 점검했다. 삼성전자 제공

이재용 삼성전자 회장이 삼성전자의 반도체 핵심 사업장을 찾아 “과감한 혁신과 투자로 본원적 기술 경쟁력을 회복해야 한다”고 말했다. 글로벌 인공지능(AI) 반도체 경쟁 속도가 빨라지는 가운데 연구개발(R&D)과 제조 현장을 잇달아 찾아 기술 중심 경영 기조를 다시 한번 강조한 것이다.

22일 삼성전자에 따르면 이 회장은 이날 오전 경기 용인시 삼성전자 기흥캠퍼스를 방문해 차세대 반도체 연구개발 시설인 ‘NRD-K’를 점검했다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 조성하고 있는 복합 연구개발 단지다. 이 회장은 여기서 메모리, 파운드리, 시스템반도체 등 반도체 전 사업 영역의 차세대 기술 개발 현황을 살폈다. 이 회장이 NRD-K를 찾은 것은 2023년 10월 이후 약 2년 2개월 만이다.

이 회장은 이날 오후에는 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스로 이동해 제조 현장을 점검했다. 디지털 트윈과 로봇 기술을 적용한 제조 자동화 시스템과 AI 기반 공정 운영 사례 등을 직접 확인했다.

이 회장은 현장 점검 이후 전영현 디바이스솔루션(DS)부문장(부회장), 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 등 주요 경영진과 글로벌 반도체 산업 동향과 중장기 전략을 논의했다. 이어 고대역폭메모리(HBM)와 차세대 공정 제품 개발에 기여한 연구·제조 인력들과 간담회를 가졌다.

재계에서는 이 회장이 미국 출장에서 귀국한 지 일주일 만에 반도체 R&D·제조 현장을 연이어 방문한 것을 두고 반도체 ‘슈퍼사이클’에 대비한 사업 재점검 행보라는 해석이 나온다. AI 반도체 수요 확대와 메모리 업황 반등 기대가 맞물리는 상황에서, 기술과 생산 두 가지를 동시에 점검했다는 해석이다.

HBM 등 초기 AI 반도체 시장에서 주도권을 놓쳤다는 평가를 받았던 삼성전자는 빠른 속도로 근원적인 기술 경쟁력을 회복하고 있다. 5세대 HBM인 HBM3E는 판매가 늘면서 올해 3분기(7∼9월) 판매량이 직전 분기 대비 1.8배 이상 증가했다. 차세대 HBM4는 개발을 완료해 주요 고객사에 샘플을 출하했으며, 내부 기술 평가에서 업계 최고 성능을 확보한 것으로 전해졌다.