[미래로 뛰는 한국기업]2015년 반도체에 사상최대 6조원 투자

SK하이닉스는 매년 연구개발(R&D) 부문에만 1조 원 이상을 투자하며 신성장동력 확보를 위해 노력해왔다. SK하이닉스 메모리반도체 생산 라인. SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 미래 성장동력의 바탕이 될 기술리더십을 확보하기 위해 꾸준히 대규모 투자를 이어가고 있다.

2012년 SK하이닉스는 당시 반도체 업황이 불투명해 업계의 평균 투자 규모가 축소된 가운데서도 투자를 전년 대비 10%가량 늘려 총 3조8500억 원을 집행했다.

이후에도 매년 3조 원대 이상의 투자를 진행해 왔다. 2014년에는 5조 원 이상, 지난해에는 사상 최대 규모인 6조 원 이상을 투자했다.

올해도 메모리 수요 둔화 등 어려운 시장 환경이 예상됨에도 SK하이닉스는 미래 성장동력을 확보하기 위해 지난해와 비슷한 규모로 투자할 계획이다.

최근 스마트폰·태블릿 등의 모바일 기기와 빅데이터·클라우드 등을 지원하는 서버 기기가 정보통신기술(ICT) 시장 중심으로 자리 잡으면서 여기에 들어가는 모바일·서버용 D램 등의 메모리반도체 수요가 증가하고 있는 추세다.

SK하이닉스는 모바일 시장 주도권을 강화하기 위해 주력 상품인 모바일 D램 경쟁력을 강화하고 있다.

2007년 전체 D램 매출에서 약 3%에 불과했던 모바일 D램 비중을 2012년 이후 30% 이상으로 확대하고, 매년 다양한 신제품을 내놓으며 시장을 선도하고 있다.

2013년에는 차세대 모바일 D램 규격인 LPDDR4 제품을 세계 최초로 개발했으며, 지난해 2월 8Gb(기가비트) LPDDR4 제품을 업계 최초로 상용화해 최신 스마트폰에 탑재했다. LPDDR4는 시장 주력 제품인 LPDDR3보다 속도가 2배가량 빠르며 소비 전력도 낮아 가파른 수요 성장세를 나타내고 있다.

SK하이닉스는 D램뿐만 아니라 다양한 응용복합제품 수요에 대응하기 위해 낸드플래시 솔루션 경쟁력도 강화하고 있다.

우선 낸드플래시의 성능을 좌우하는 컨트롤러 개발 역량을 확보하기 위해 2012년 미국의 LAMD 및 이탈리아의 아이디어플래시, 2013년 대만의 이노스터 컨트롤러 사업부, 2014년 벨라루스의 소프텍 등을 인수했다. 국내에서도 2012년 경기 성남시 분당에 플래시 솔루션 디자인 센터, 2013년 스토리지 미디어 솔루션스 센터 등을 설립했다.

강화된 낸드 솔루션 역량을 바탕으로 SK하이닉스는 모바일 및 서버 기기 등에 쓰이는 다양한 응용복합제품을 개발·양산하고 있다. 기존 16나노 제품보다 공정을 더욱 미세화한 2D 구조의 14나노 제품을 성공적으로 개발 및 양산하고, 최근 양산을 시작한 36단 3D 낸드플래시 제품에 이어 올해 말까지 48단 제품도 개발을 마쳐 기술 리더십을 이어갈 계획이다.

서동일 기자 dong@donga.com