삼성전자, 세계최초 TSV 기술 적용 128GB 서버용 D램 모듈 양산

삼성전자가 세계 최초로 3차원 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 적용해 최대 용량, 초절전 특성을 동시에 구현한 128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈을 생산한다고 26일 밝혔다.

TSV 기술은 D램 칩을 종이의 절반보다 얇게 깎고 수백 개의 미세 구멍을 뚫은 뒤 상·하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.

기존 와이어(금선)를 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수하고 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있다. 64GB D램 모듈에 비해 속도도 2배 가량 빠른 2400메가비트(Mbps)고, 소비전력량은 50% 줄였다.

삼성전자는 2014년 8월 TSV 기술로 64GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 양산에 성공했다. 삼성전자는 연내 TSV 기술을 적용한 128GB DDR4 LRDIMM 제품도 양산해 ‘TSV 풀라인업’을 완성할 계획이다.

김지현기자 jhk85@donga.com