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입력 2001년 2월 8일 18시 29분
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삼성전자는 7일(현지 시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체학회에서 0.10㎛의 초미세 공정기술을 적용한 ‘4기가 메모리반도체 제품 기술개발’과 관련된 논문을 발표하면서 “4기가 D램 시대를 열었다”고 밝혔다.
4기가 D램의 용량은 42억9000만 비트로 칩 1개가 △영문글자 5억자 △신문 3만2000면 △단행본 640권 △정지화상 1600장 △음성데이터 64시간 분량을 담게 돼 초고성능 서버용으로 사용될 수 있다. 이 제품의 상용화는 2004년부터 이뤄질 전망이다. 4기가 D램에 적용된 0.10㎛ 기술은 사람 머리카락 굵기(약 100㎛)의 1000분의 1에 해당되는 초미세 가공기술로 고집적도의 대용량 메모리를 만들 수 있는 미세 증폭회로와 안정화회로 관련 기술 등이 뒷받침돼야 가능하다고 삼성전자는 설명했다.
삼성전자는 이번 개가로 2004년 초기시장이 형성될 것으로 예상되는 4기가 D램 제품의 양산경쟁에서 앞서가게 됐으며 일본의 NEC와 독일의 인피니온, 미국의 마이크론테크놀로지 등 경쟁업체와의 기술격차를 더욱 벌리게 됐다.
특히 0.10㎛ 기술을 기흥공장에서 양산중인 256메가와 128메가 D램 제품에 적용할 경우 60% 이상의 원가절감 효과를 거둘 수 있어 반도체 가격경쟁력 면에서도 확고한 우위를 갖게 된다. 삼성전자는 이번 기술 개발과정에서 140여건의 핵심 반도체 기술특허를 국내외에 출원해 로열티 수입을 늘리는 효과도 기대된다고 밝혔다.
<박원재기자>parkwj@donga.com