삼성전자는 21일 현재의 싱크로너스 방식을 대체할 것으로 주목받는 더블데이터레이트(DDR)방식의 차세대 메모리반도체 제조에 필요한 핵심 기술특허 2종을 미국 특허청으로부터 획득했다고 밝혔다.
삼성전자가 특허등록에 성공한 신기술은 DDR방식 메모리반도체의 데이터입력회로 기술 및 입력데이터를 차단하는 회로기술 등 2가지다. 삼성전자 관계자는 “DDR방식 메모리반도체는 한 개의 (클릭)신호에 2개의 데이터가 수신가능해야 하며 불필요한 데이터 입력을 제어하는 기술이 필수적”이라고 말했다.삼성전자는 지난해 미국시장에서 1545건의 특허(반도체 450건)를 등록시켜 세계 4위에 올랐으며 올해 반도체 기술특허의 기술사용료 수입 및 특허기술 판매만으로 1500만달러 이상의 수익을 예상하고 있다.
<성동기기자>esprit@donga.com