삼성전자, 반도체 기술 한계 돌파…‘10나노급 D램 시대’ 개막

삼성전자가 세계 최초로 ‘10나노 급 D램’ 양산 시대를 열었다. 국내외 전자업계에서는 중국 정부의 집중적인 지원 아래 무섭게 한국 업체를 추격해오는 중국 반도체 업체들과의 기술 격차를 5년 이상 벌렸다는 평가가 나온다.

삼성전자는 올해 2월부터 세계 최소 크기의 10나노 급(18나노) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 상업 생산하고 있다고 5일 밝혔다.

1나노m는 10억 분의 1m로 머리카락 굵기의 10만 분의 1 수준이다. 메모리 반도체는 칩을 작게 만들수록 단일 실리콘 원판(웨이퍼)에서 더 많은 제품을 얻을 수 있다. 원가를 낮출 수 있는 만큼 국내외 반도체 업체들은 치열한 ‘나노 전쟁’을 벌여왔다.

2004년 90나노급 D램을 양산한 삼성전자는 매년 10나노씩 줄여나가 2011년 9월 처음으로 20나노 후반대 D램 양산에 성공했다. 2012년에는 세계 최초로 25나노 D램을 양산했다. 2014년에는 20나노 D램을 양산한 데 이어 같은 해 10월에는 모바일 D램에도 세계 최초로 20나노 공정을 적용했다. 아직 경쟁업체들은 대부분 25~30나노 수준으로 최근 20나노대 초반 제품 양산을 시작하는 추세다.

삼성전자는 이번에 양산에 성공한 10나노급 D램 제품으로 PC와 서버용 전통 메모리 반도체 시장 공략을 본격화할 계획이다. 또 올해 안에 모바일 D램도 10나노급으로 양산해 초고해상도 스마트폰 시장도 선점하기로 했다. 장기적으로는 불가능의 영역으로 평가받는 10나노 급 장벽을 허무는 ‘X나노 급 D램’ 기술 개발에도 나설 방침이다.

김지현 기자 jhk85@donga.com