삼성전자, 세계 첫 30나노급 D램 개발 성공

올해 하반기부터 양산

삼성전자 직원들이 이 회사가 세계 최초로 개발한 30nm급 D램 웨이퍼(가운데)와 완성품 D램을 들고 있다. 사진 제공 삼성전자

삼성전자가 세계 최초로 회로선폭이 30nm(나노미터·1nm는 10억 분의 1m)급인 D램 개발에 성공했다. 삼성전자는 30nm급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 지난달 개발해 하반기(7∼12월)에 양산할 계획이라고 1일 밝혔다.

이 제품은 40nm급 D램보다 생산성이 60% 정도 높고 50∼60nm급 D램에 비해 원가는 절반 이하다. 또 소비전력이 50nm급 D램에 비해선 약 30%, 40nm급 D램에 비해서는 15% 이상 적다.

삼성전자는 D램의 셀 구조상 지금의 생산 공정에서 한계로 여겨온 40nm급 D램을 지난해 개발한 데 이어 불과 1년 만에 30nm급 제품을 개발하는 데 성공했다. 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “이 제품의 성공적 개발로 경쟁사와의 격차를 1년 이상 벌려놓았다”고 말했다.

김선우 기자 sublime@donga.com