1Gb모바일 D램 하이닉스서 개발

하이닉스반도체는 54nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 기술을 적용한 1Gb(기가비트) 모바일용 LP(저전력) DDR2 D램 제품을 개발했다. 이 제품은 평균 1.2V의 저전압에서 동작할 수 있도록 설계돼 기존 모바일 D램의 50%, PC용 DDR2 제품의 30% 수준의 전압만 필요로 한다. 또한 초당 1066Mb(메가비트)의 데이터를 전송할 수 있는 성능을 갖춰 영화 5, 6편을 1초 만에 다운로드할 수 있다.

하이닉스 측은 이 제품을 3분기(7∼9월)부터 양산하고, 내년 초 40nm급 제품을 개발한다는 계획이다.

김창덕 기자 drake007@donga.com