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입력 2006년 4월 14일 03시 00분
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이 회사는 이 기술을 이용해 두께가 50마이크로미터(μm·1μm는 100만분의 1m)인 2기가비트(Gb) 낸드플래시 8개를 쌓은 16Gb 칩을 560μm 두께로 만드는 데 성공했다고 덧붙였다.
WSP는 반도체 원판을 쌓을 때 여러 장의 원판을 수직으로 뚫는 구멍을 만들어 원판들을 직접 접속하는 기술이다.
지금까지는 원판을 쌓을 때 위 아래로 일정 간격의 공간을 두고 선을 연결했다.
삼성전자는 이 기술을 이용하면 현재 생산되고 있는 MCP(Multi Chip Package)보다 두께를 30% 이상 줄일 수 있고 일부 제조 공정이 필요 없어져 원가도 절감된다고 설명했다.
삼성전자 측은 “이번에 개발한 560μm 낸드플래시 제품의 두께를 320μm 줄인 제품도 개발 중”이라며 “내년 초부터 WSP 적용 제품을 초소형 고용량 낸드플래시 메모리 카드를 중심으로 본격 생산할 것”이라고 말했다.
이상록 기자 myzodan@donga.com
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