‘실리콘 나노선’ 전기특성 조절 방법 개발

장기주 KAIST 교수팀

미래의 반도체 소자를 만드는 재료인 ‘실리콘 나노선’의 전기 특성을 조절하는 방법을 국내 연구진이 개발했다.

KAIST 물리학과 장기주(사진) 교수팀은 “실리콘 나노선에 화학물질을 첨가했을 때 전기 전도도(傳導度)가 어떻게 변하는지를 알아냈다”고 2일 밝혔다. 이 연구 결과는 나노과학 분야의 국제저널 ‘나노레터스’ 8월 30일자 온라인판에 실렸다.

전기가 흐르지 않는 실리콘 나노선에 미세한 양의 화학물질을 첨가하면 전자가 이동하게 돼 반도체 소자로 쓸 수 있는데 연구팀은 실리콘 나노선에 인(P)을 첨가하면 전기 전도도가 급격히 떨어졌다가 산소나 붕소를 첨가하면 전기가 다시 잘 통한다는 사실을 발견했다.

장 교수는 “실리콘 나노선에 화학물질을 첨가하는 다양한 방법을 개발하면 반도체 성능 향상에도 기여할 수 있을 것”이라고 말했다.

nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 크기의 실리콘 선은 최근 반도체 소자가 점점 작아지면서 차세대 반도체 재료로 주목받고 있다.

임소형 동아사이언스 기자 sohyung@donga.com