中에 반도체 핵심기술 유출…前 삼성전자 부장, 1심 징역 7년

서울 서초구 서울중앙지방법원 청사 앞으로 시민들이 지나고 있다. 뉴스1

우리나라 반도체 핵심 기술을 중국 회사에 유출한 혐의를 받는 전직 삼성전자 부장이 1심에서 징역 7년을 선고받았다.

19일 서울중앙지법 형사합의25부(부장판사 지귀연)는 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의를 받는 김모 전 삼성전자 부장에 징역 7년에 벌금 2억 원을 선고했다. 함께 기소된 삼성전자 협력업체 전 직원 방모 씨와 김모 씨에 대해서는 각 징역 2년 6개월, 1년 6개월을 선고했다.

김 전 부장은 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 반도체 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 제품 개발에 사용하게 한 혐의로 지난해 1월 기소됐다. CXMT는 중국 유일의 D램 생산업체다. 검찰은 CXMT가 해당 삼성전자 정보를 취득한 뒤 반도체 양산에 성공한 점 등으로 볼 때 이 같은 자료를 활용해 기술장벽을 뛰어넘었다고 보고 지난해 12월 김 전 부장에게 징역 20년을 구형했다.

법원은 김 전 부장이 주도해 삼성전자 자료를 유출했다고 봤다. 김 전 부장은 결심공판에서 최후진술을 통해 “일반 기술이라 생각했고 투자자들에게 홍보 자료로 사용하기로 해 자료를 다 함께 준비한 것”이라고 주장한 바 있다.

1심 재판부는 “국가 핵심기술에 해당하는 삼성전자 공정 정보를 부정 취득해 공개, 누설, 사용하는 데까지 나아갔다”며 “중국 경쟁업체가 양산에 성공한 점을 감안했을 때 삼성전자가 입은 피해는 어마어마한 액수에 이를 것으로 예상된다”고 지적했다.

이어 “관련 분야의 건전한 경쟁을 심각히 저해했다”면서 “피해 회사의 막대한 시간과 비용을 헛되게 할 뿐만 아니라 실제로 대한민국 국가산업 경쟁력에 큰 악영향을 줄 수 있는 중대한 범죄”라고 꾸짖었다.

다만 재판부는 경쟁 회사의 18나노 D램 개발 및 급속 성장이 김 전 부장의 범행 때문만인지는 명확하지 않다는 점, 벌금형을 초과하는 형사처벌 전력이 없다는 점 등을 참작해 형량을 결정했다고 덧붙였다.