삼성전자, 70나노급 D램 세계 첫 개발

사진 제공 삼성전자

삼성전자는 세계에서 처음으로 70나노 공정을 이용한 512Mb(메가비트) DDR2 D램(사진) 개발에 성공했다고 13일 밝혔다.

이는 반도체 회로선의 폭이 70nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)로 줄어들었음을 뜻한다.

회로선의 폭이 좁아지면 하나의 반도체 원판에 넣을 수 있는 부품 수가 그만큼 많아져 고(高)집적 제품 생산이 가능하다.

삼성전자는 70나노 공정을 적용하면 기존의 90나노 공정 때보다 512Mb D램의 생산성이 2배 높아지게 된다고 설명했다.

이번에 개발된 D램은 1.8V의 낮은 전압에서 동작해 개인용 컴퓨터(PC)는 물론 각종 모바일 제품에 효과적으로 쓰일 것이라고 덧붙였다. 이 회사는 올해 안에 80나노급 D램, 내년 하반기에는 이번에 개발한 70나노급 제품의 대량 생산에 들어갈 방침이다.

삼성전자 관계자는 “이번 기술 개발로 경쟁업체들보다 2세대 앞선 기술력을 확보하게 됐다”고 말했다.

삼성전자는 2001년 1세대 100나노 공정을 시작으로 90나노(2002년), 80나노(2003년) 등 D램 반도체 초미세 제조 기술을 잇달아 개발했었다.

전자업계에서는 올해 265억 달러(약 26조5000억 원) 수준인 D램 시장 규모가 2009년 374억 달러로 커질 것으로 전망하고 있다.

이상록 기자 myzodan@donga.com