“SK하이닉스, 하이브리드 본딩 조기 도입… 8세대 HBM5 3년뒤 출시”

전력 효율-신호처리 속도 개선 전망

경기 이천시 SK 하이닉스 본사 모습. 2025.10.29 이천=뉴시스

SK하이닉스가 차세대 패키징 기술인 하이브리드 본딩을 조기 도입해 8세대 고대역폭메모리(HBM) ‘HBM5’를 2029년경 출시할 것이란 전망이 나왔다.

6일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 SK하이닉스는 어플라이드 머티리얼즈와 BE세미컨덕터인더스트리즈(BESI)의 통합 하이브리드 본딩 솔루션을 선제 도입해 차세대 HBM 경쟁에서 기술적 우위를 확보하고 있다. 이에 따라 차세대 인공지능(AI) 그래픽처리장치(GPU) 사이클에 맞춰 2029∼2030년경 HBM5 양산이 가능할 것으로 분석됐다.

하이브리드 본딩은 반도체 칩을 연결할 때 기존처럼 미세 금속 범프를 사용하는 대신 칩을 직접 접합하는 기술이다. 칩 간 간격을 줄이고 적층 높이를 낮출 수 있어 대역폭과 전력 효율, 신호 처리 속도를 동시에 개선할 수 있는 차세대 패키징 방식으로 꼽힌다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 높인 메모리로, AI와 고성능 컴퓨팅(HPC)에 필수적인 제품이다. 현재 열압착 본딩(TCB) 방식은 최대 16단까지 적층이 가능하지만, 적층 수가 늘수록 발열과 전력 효율 저하, 신호 간섭 문제가 커지는 한계가 있다. 엔비디아 등 주요 HBM 고객사들이 더 높은 대역폭과 효율을 요구하면서 반도체 업계는 기존 공정의 이 같은 한계를 보완할 대안으로 하이브리드 본딩 전환을 추진하고 있다.