[컴퓨터]IBM, 탄소나노튜브 트랜지스터 기술 개발

IBM은 27일 실리콘 반도체보다 집적도가 1만배 높은 탄소나노튜브 소재의 트랜지스터 기술을 개발했다고 밝혔다.

이 회사는 실리콘 트랜지스터의 500분의 1 크기에 해당하는 탄소나노튜브를 이용한 ‘트랜지스터 어레이’ 제작에 성공했다.

이번 기술은 ‘건설적 파괴’라는 기법을 이용해 금속성 나노튜브는 파괴하고 트랜지스터 구축에 유용한 반도체 성질만 남기는 방식으로 이뤄졌다.

지금까지 탄소나노튜브를 트랜지스터로 이용할 경우 금속성 나노튜브가 반도체적 성질의 나노튜브와 결합해 반도체적 성질의 나노튜브를 무력화 시켜 문제가 돼 왔다.

이 회사 관계자는 "이번 기술 개발로 탄소나노튜브를 더 이상 소형화가 힘든 실리콘을 대체해 신소재로 이용할 예정이다"고 말했다.

양희웅<동아닷컴 기자>heewoong@donga.com