삼성·SK하이닉스보다 빨랐다…美 마이크론, HBM3E 양산 시작

미국 마이크론이 5세대 고대역폭메모리인 ‘HBM3E’ 양산을 시작했다. 삼성전자, SK하이닉스보다 한발 빠르게 양산에 나서면서 차세대 HBM인 HBM3E 시장 영향이 주목된다.

26일(현지시간) 마이크론은 “HBM3E 솔루션의 대량 생산을 시작했으며 이번 24GB(기가바이트) 용량의 8H(8단) HBM3E는 올해 2분기 출하를 시작하는 엔비디아 ‘H200’에 탑재될 예정”이라고 밝혔다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품으로 인공지능(AI) 칩에 사용되는 GPU(그래픽처리장치)에 대거 탑재된다.

마이크론은 이번 발표에서 고객사를 직접 언급하며 HBM3E 제품에 대한 자신감을 드러냈다. 마이크론의 HBM3E는 8단으로 D램을 쌓아 24GB 용량을 구현한 것으로, D램 칩은 10나노급(1b), TSV(실리콘 관통 전극) 등의 기술로 적층했다는 설명이다.

마이크론은 “삼성전자(005930), SK하이닉스(000660)와 같은 경쟁사보다 자사 제품이 전력소비가 30% 적어 데이터센터 운영 비용을 절감할 수 있다”고 설명했다.

파운드리 업계 1위인 대만 TSMC와의 협력 관계도 전면에 내세웠다. 엔비디아의 칩은 TSMC가 위탁생산을 맡고 있는 것으로 알려졌다. 마이크론이 HBM을 TSMC에 보내면 TSMC가 최종 패키징을 하는 과정을 거쳐 엔비디아 칩이 만들어진다.

마이크론은 “자사는 TSMC의 3D(3차원) 패브릭 얼라이언스의 파트너이며 반도체, 시스템 혁신의 미래를 형성하는 데 도움을 줄 것”이라고 밝혔다.

(서울=뉴스1)