하이닉스 “54나노 D램 내달부터 양산”

김종갑(사진) 하이닉스반도체 사장은 “다음 달부터 54나노 공정을 적용한 1Gb(기가비트) DDR2 D램의 양산을 시작할 것”이라며 “해외 경쟁사보다 한발 앞선 이 같은 양산 기술로 반도체 시장의 불황을 뛰어넘겠다”고 말했다.

김 사장은 18일 경기 이천시 부발읍 이천사업장에서 가진 기자간담회에서 이같이 밝히고 “54나노 공정의 생산성은 현재의 양산 공정인 66나노 기술보다 50% 이상 향상된 것”이라고 덧붙였다.

54나노는 반도체 회로선의 폭이 54nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m), 즉 머리카락 굵기의 2500분의 1정도임을 의미한다. 회로선 폭이 좁아질수록 고집적(高集積) 제품을 생산할 수 있어 그만큼 생산성이 높아지는 것이다.

D램 1위인 삼성전자도 이달부터 56나노 D램 양산을 시작해 한국 반도체의 양대 업체 모두 미국 일본 독일 등의 해외 경쟁사보다 한발 앞서 50나노급 체제를 갖추게 됐다.

김 사장은 또 “최근 48나노 공정을 적용한 16Gb 낸드플래시 제품의 양산도 시작했는데 이 역시 60나노급 제품보다 90%, 50나노급 제품보다 60% 정도 생산성이 향상된 것”이라고 강조했다. 그는 지난해 4분기(10∼12월)에 적자를 내는 바람에 ‘17개 분기 연속 흑자 행진’이 멈춘 것에 대해 “하이닉스 주주뿐만 아니라 하이닉스에 관심을 가져준 국민에게 송구하다”며 “올해는 수익성과 재무안정성 확보에 노력해 하반기(7∼12월)에는 회복될 것”이라고 전망했다.

하이닉스 매각 문제에 대해서는 “관심을 보이는 국내 회사들이 몇 개 있는 것으로 알고 있으나 (매각) 성사가 올해 가능할지, 내년으로 넘어갈지는 알 수 없는 상태”라며 “그 문제는 (채권은행 중심의) 주식관리협의회에서 알아서 할 것”이라고 말했다.

이천=부형권 기자 bookum90@donga.com