삼성전자, 속도 1000배 개선 'P램' 개발

삼성전자는 플래시메모리 등 기존 비휘발성 메모리보다 정보 처리속도가 1000배나 빠른 차세대 메모리 반도체 ‘P램’ 개발에 성공했다고 7일 발표했다.

비휘발성 메모리란 D램 등과 달리 전원이 꺼져도 데이터가 보존되는 반도체다. ‘P램(Phase change RAM)’은 실리콘이 아닌 ‘게르마늄 안티몬 텔룰라이드’라는 신물질을 이용해 만들어졌다.

이 제품은 쓰기속도 100ns(나노초·10억분의 1초), 읽기속도 50ns로 동작하고 20억 회까지 반복사용이 가능하며 70도의 고온에서도 20년간 데이터를 보존할 수 있다.

삼성전자는 “P램 개발에 성공해 F램, M램 등 모든 차세대 반도체군을 확보하게 됐다”며 “이들 제품은 빠른 데이터 처리속도와 많은 저장용량으로 기존 플래시메모리를 빠르게 대체할 것”이라고 전망했다.

최호원기자 bestiger@donga.com