[비즈파일][정보통신]삼성전자, 0.11㎛ 저전력 S램 개발

삼성전자는 0.11㎛(마이크로미터·100만분의 1m)급 초미세 공정기술을 적용한 32메가 저(低)전력 S램 개발에 성공했다고 지난해 12월31일 발표했다. 이번에 개발된 S램은 △32메가의 대용량 △1㎂(마이크로 암페어·100만분의 1 암페어) 이하의 저소비 전류 △휴대기기에 필요한 1.8V의 동작전압 △55㎱(나노초:10억분의 1초)의 초고속 데이터 처리 능력을 갖추고 있다.

삼성전자측은 초미세 공정기술을 통해 소형화 추세인 첨단 이동통신제품에 적합하도록 칩사이즈를 33% 줄이고 생산성도 50%이상 높일 수 있게 됐다고 설명했다.

이 회사는 0.11㎛급 초미세 공정기술을 32메가뿐만 아니라 16메가와 8메가 제품에도 확대 적용해 올 하반기부터 본격 양산에 들어갈 예정이다.

최영해기자yhchoi65@donga.com