中에 ‘18나노 D램’ 기술유출 혐의 삼성전자 前부장 구속

2명 모두 증거인멸 염려…구속영장 발부

삼성전자의 반도체 기술을 유출한 혐의를 받는 전직 부장이 구속됐다.

서울중앙지법 이민수 영장전담 부장판사는 15일 오후 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의를 받는 김모 씨 등 2명에게 구속영장을 발부했다.

이 부장판사는 2명의 피의자 모두에게 증거인멸 염려가 있다고 판단했다.

삼성전자 부장 출신인 김씨는 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 회사인 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 제품 개발에 사용하도록 한 혐의를 받고 있다. D램은 컴퓨터의 주력 메모리로 사용되는 부품 중 하나로 용량이 크고 처리 속도가 빠르다.

그는 방씨와 공모해 반도체 장비납품업체 A사의 반도체 증착장비 설계 기술 자료를 무단 유출한 혐의도 받고 있다.

두 사람은 이날 법정에 출석하며 “기술 유출 혐의를 인정하나” “수백억원대 리베이트를 받았느냐” “다른 기술도 유출했느냐” “공범들은 현재 어디에 있느냐” 등의 질문에 아무 답을 하지 않았다.

검찰은 김씨가 중국 회사로 이직하면서 수백억원대 금품을 받은 것으로 의심하는 것으로 전해졌다. 검찰은 공범 수사에도 속도를 내고 있는 것으로 알려졌다.

[서울=뉴시스]