현대전자， 메모리복합칩 차세대 제조기술 개발

현대전자(대표 김영환·金榮煥)가 주문형 반도체인 메모리 복합칩의 차세대 제조기술을 개발했다.

현대전자는 28일 “1백28메가D램과 로직 트랜지스터를 결합시킨 복합칩을 제조할 수 있는 회로 기술을 개발했다”고 밝혔다.

현대가 이번에 선보인 0.21㎛급(1㎛〓1백만분의1m) 회로선폭 기술은 복합칩 분야에서 지금껏 발표된 기술 중 가장 미세한 수준. 지금까지 삼성전자 지멘스 도시바 등에서 0.24∼0.25㎛급의 기술을 발표했었다.

현대는 “회로 선폭이 미세해 웨이퍼당 생산량을 기존의 0.35㎛급 기술보다 두 배 이상 늘릴 수 있다”고 설명.

복합칩은 메모리 반도체와 비메모리 반도체를 하나의 칩으로 결합시킨 것으로 두 개의 칩을 사용할 때보다 데이터 전송속도를 높이고 전력 소모를 줄일 수 있는 차세대 반도체다.

〈홍석민기자〉smhong@donga.com