Ｄ램단위 소자 대체 새 트랜지스터 개발

현재 주로 쓰이고 있는 D램의 단위 소자를 대체할 수 있는 새로운 구조의 트랜지스터가 개발됐다. 한국과학기술연구원(KIST) 김용태박사팀(정보전자연구부)은 초고집적(超高集積) 반도체의 단위 소자가 되는 새로운 「비파괴 판독형(NDRO) 불휘발성 트랜지스터」를 개발했다고 23일 밝혔다. 이 트랜지스터는 기존의 파괴형 기억 소자에 비해 정보를 여러번 반복해 저장할 수 있고 속도가 훨씬 빠른 장점을 지녔다. 또 전원을 차단해도 기존의 정보를 그대로 기억하는 특성도 갖고 있다. 데이터를 읽고 쓰는 것은 1백억번 이상 반복해서 할 수 있다. 현재 일반적으로 쓰이고 있는 파괴형 소자의 경우 1만번, 최근 일본에서 개발한 비파괴형 소자의 경우 1억번 정도가 고작이었다. 또 5∼10V의 전압이 필요하던 기존 소자와 달리 3∼5V의 비교적 낮은 전압에서 작동할 수 있는 게 장점. KIST측은 『이 소자가 실용화할 경우 노트북 컴퓨터의 소형화를 앞당기는 한편 하드디스크를 비롯한 모든 기록 장치에 쓰일 수 있다』고 전망했다. 〈홍석민기자〉