SK하이닉스, 세계 최초 ‘12단 적층’ HBM3 개발…“하반기 공급”

SK하이닉스 HBM3 신제품

SK하이닉스(000660)가 최고 성능 D램인 ‘HBM3’의 기술적 한계를 다시 한번 넘어섰다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순으로 개발돼 왔다.

SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발했다고 20일 밝혔다. 기존 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다.

현재 다수의 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능 검증을 진행 중이며, 올해 하반기 신제품을 공급할 예정이다.

HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체다. 최신 규격인 HBM3은 대량의 데이터를 신속히 처리하는 데 최적의 메모리로 평가받으며, 빅테크 기업들의 수요가 점차 늘어나고 있다.

SK하이닉스는 “지난해 6월 세계 최초로 HBM3을 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다”며 “최근 AI 챗봇(인공지능 대화형 로봇) 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것”이라고 설명했다.

홍상후 SK하이닉스 부사장(P&T담당)은 “세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다”며 “상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다”고 말했다.

(서울=뉴스1)