삼성전자 ‘나노 신기원’

세계 첫 20나노 4GB D램 양산… 30나노보다 2배이상 생산 가능
10나노급 D램 양산기술도 확보

20나노 D램은 신제품 개발이 정체돼 있던 D램 시장에서 새로운 돌파구를 마련했다는 평가를 받고 있다. 삼성전자 제공

삼성전자가 이달 초부터 세계 최초로 ‘20나노 4GB(기가바이트) DDR3 D램(20나노 D램)’을 본격적으로 양산하기 시작했다고 11일 밝혔다.

삼성전자에 따르면 D램 메모리 반도체 시장에서는 2012년 10월부터 양산된 25나노 D램 이후 특별한 기술 혁신이 없었다. 이에 따라 20나노 D램은 반도체 시장의 주력 제품 중 하나로 떠오를 것으로 보인다.

20나노 D램은 직전 제품인 25나노 D램보다 전력 소비를 약 25% 줄일 수 있어 친환경 정보기술(IT) 제품에 광범위하게 쓰일 수 있다는 게 특징이다. 삼성전자는 이번에 개발된 20나노 D램을 PC 제품에 우선적으로 장착할 계획이다. 또 조만간 스마트폰과 서버 관련 제품에도 적용할 방침이다.

20나노 D램은 하나의 웨이퍼(반도체 원판)에서 25나노에 비해서는 30%, 30나노에 비해서는 2배 이상 생산이 가능하다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장(부사장)은 “20나노 D램이 IT 시장에서 빠르게 확산될 것”이라며 “계속해서 차세대 대용량 D램과 그린 메모리 솔루션을 출시하겠다”고 말했다.

삼성전자는 새로운 설비 투자 없이 이번 제품을 개발하는 데 성공했고, 10나노급 D램을 양산할 수 있는 기반 기술까지 마련했다고 밝혔다. IT 업계에서는 이르면 1년 안에 삼성전자가 10나노급 D램을 본격적으로 양산할 수 있을 것으로 예상한다.

한편 시장 조사기관인 가트너는 올해 세계 D램 메모리 반도체 시장 규모가 379억 달러로 지난해보다 20억 달러 정도 성장할 것으로 전망했다.

이세형 기자 turtle@donga.com