삼성전자, 70나노 4G 메모리 세계 첫 개발

삼성전자가 세계 최초로 70nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 초미세 공정기술의 4기가 플래시 메모리를 개발했다.

70nm 기술은 기존의 90nm의 벽을 뛰어넘은 최소 선폭 반도체 기술이며, 4기가는 데이터저장(NAND)형 플래시 메모리로는 세계 최대 용량이다.

삼성전자 메모리 사업부 황창규(黃昌圭) 사장은 29일 메모리 사업전략 발표회에서 “기존의 D램, 플래시 메모리 등을 통틀어 가장 앞선 70nm 플래시 메모리를 개발했다”며 “연내에 생산라인의 70%를 나노공정으로 전환하겠다”고 밝혔다.

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이번에 개발된 4기가 NAND형 플래시 메모리는 경쟁업체인 일본 도시바보다 9개월 정도 앞선 기술이다.

삼성전자는 지난해 9월 2기가 제품 개발에 이어 1년 만에 2배 용량의 제품을 개발함으로써 1999년 이후 4년 연속 메모리 집적도를 매년 2배씩 높이는 개가를 올렸다.

메모리칩 내부의 회로 선폭이 머리카락 굵기의 14분의 1 정도에 불과해 같은 크기에 더욱 큰 용량의 메모리를 만들 수 있다. 기존 90nm 제품보다 집적도가 두 배 정도 높다.

8기가바이트 모듈에 활용하면 MP3 음악파일은 2000곡을, 디지털 영상은 8시간 분량을 저장할 수 있다.

삼성전자는 내년 말경 70nm 메모리 제품이 양산되면 기존 90nm 공정에 비해 생산성이 50% 이상 향상될 것으로 기대하고 있다.

삼성전자는 이 밖에도 독자적인 3차원 트랜지스터기술(RCAT)을 사용한 80nm급 512메가 D램 양산기술을 확보했으며, NAND형과 코드저장(NOR)형 플래시 메모리의 장점을 결합한 신개념 ‘퓨전메모리칩’을 시판한다고 밝혔다.

김태한기자 freewill@donga.com

허진석기자 jameshuh@donga.com