삼성전자 웨이퍼가공 신기술개발…반도체 제조비용줄여

삼성전자(대표 윤종룡·尹鍾龍)가 차세대 반도체 제조 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 웨이퍼 가공 기술을 개발했다.

삼성전자는 19일 “세계 최초로 ‘원자층(原子層) 증착기술’을 이용해 웨이퍼를 가공하는 데 성공했다”고 밝혔다.

삼성측은 “이 기술로 2백56메가D램과 1기가D램 등 차세대 메모리 분야에서 원가 경쟁력과 수율을 높일 수 있게 됐다”고 설명. 2백56메가D램을 생산하면서 기존의 64메가D램 수준의 수율을 그대로 유지할 수 있다는 것.

‘원자층 증착 기술’은 반도체 웨이퍼 가공에서 가장 중요한 공정인 캐퍼시티에 보호막을 입히는 데 쓰인다. 분자를 이용하는 기존의 화학분사 방식에 비해 입자가 훨씬 작은 원자를 이용하기 때문에 더욱 정밀하게 가공할 수 있다는 것. 캐퍼시티는 반도체에서 데이터를 기억하는 역할을 하는 핵심 소자.

삼성측은 “공정수가 줄면서 초기 시설 투자를 4천만달러 이상, 연간 제조비용을 30% 이상 줄여 앞으로 3년간 1억달러 이상의 비용 절감 효과가 날 것”으로 예상했다.

〈홍석민기자〉smhong@donga.com