연구개발에 年2조원 이상 대규모 투자

SK하이닉스는 2016년부터 연간 2조 원 이상의 자금을 연구개발(R&D)에 쏟으며 기술 혁신에 주력하고 있다.

SK하이닉스는 2017년 사상 최대 규모인 2조4870억 원을 R&D에 투입했다. 지난해 역시 9월 말 누적 기준으로 2조153억 원의 R&D 투자를 집행했다. 연간 기준으로도 사상 최대치에 근접할 것으로 예상된다. 올해 역시 R&D 투자 규모를 지난해와 비슷한 수준으로 유지할 예정이다.

R&D 중심의 경영 기조를 바탕으로 SK하이닉스는 지난해 11월 4차원(4D) 낸드플래시 반도체 제품 개발에 성공했다. 기존 3D 낸드플래시에 주로 적용되는 차지트랩플래시(CTF) 구조에 페리언더셀(PUC) 기술을 결합한 것이다. CTF는 셀 사이 간섭을 최소화해 성능과 생산성을 개선한 기술이며, PUC는 셀 작동을 관장하는 주변부 회로를 배치하는 방식을 말한다. CTF에 PUC까지 도입한 것은 글로벌 반도체 업계에서 SK하이닉스가 처음이다.

4D 낸드플래시의 기능은 기존 72단 3D 제품과 비교해 쓰기 속도는 30% 빨라졌고 읽기 성능은 25% 향상됐다. SK하이닉스 관계자는 “4D 낸드플래시 등 고용량·고성능 제품으로 시장 환경 변화에 대응할 것”이라고 말했다.

SK하이닉스는 지난해 국제반도체표준협의기구(JEDEC)의 공식 규격을 적용한 더블데이터레이트(DDR)5 D램 기술 개발에도 성공했다. DDR는 PC에 사용되는 D램 표준 규격이다. SK하이닉스가 2020년 양산 예정인 DDR5는 5200Mbps로 최고화질 영화 11편을 모은 동영상 파일 41.6GB(기가바이트)를 1초 안에 처리할 수 있다. 기존 DDR4보다 1.6대 빠른 전송 속도여서 반도체 업계의 새로운 성장 동력 제품으로 꼽힌다.

지민구 기자 warum@donga.com