하이닉스, 50나노 D램기술 대만 프로모스에 이전 추진

하이닉스반도체가 대만의 반도체 기업인 프로모스에 50nm(나노미터·1nm는 10억 분의 1m) 또는 60nm급의 D램 메모리 반도체 생산을 위한 미세 공정기술의 이전을 추진하고 있다.

하이닉스는 전략적인 기술제휴를 맺고 있는 프로모스에 66nm 공정기술을 이전하는 방안을 협의해 왔으며, 최근 이를 54nm 기술 이전으로 확대할 것인지를 논의 중이라고 6일 밝혔다.

하지만 하이닉스는 어떤 기술을 이전할 것인지는 아직 확정되지 않았다고 덧붙였다.

하이닉스는 현재 66nm 공정의 D램 생산에 이어 올해 3분기(7∼9월)에 54nm 공정을 도입할 계획이다. 반면 프로모스는 80nm 공정을 적용 중이며, 최근 미세 공정 확보를 위한 일본 엘피다와의 제휴설이 나오고 있다.

이에 대해 반도체 전문가들은 “프로모스에 D램 파운드리(수탁생산)를 맡기는 등 긴밀한 협력 관계를 맺어 온 하이닉스가 프로모스-엘피다의 제휴설이 나오자 프로모스와의 협력을 강화하는 차원”으로 분석했다.

김용석 기자 nex@donga.com