하이닉스, 50나노급 1기가 D램 개발 성공… 내년 양산 돌입

하이닉스반도체가 내년부터 삼성전자에 이어 세계 반도체 기업 중 두 번째로 50나노급 공정을 기반으로 1Gb(기가비트) DDR2 D램 메모리 반도체 양산에 들어간다.

하이닉스는 최근 54nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 공정의 기술 개발을 끝내고 미국 인텔사(社)의 1Gb DDR2 D램 제품에 대한 인증을 획득해 내년 하반기(7∼12월)부터 이 제품을 대량생산한다고 25일 밝혔다. 이는 올해 7월 삼성전자가 세계 최초로 51nm 1Gb D램에 대해 인텔 인증을 받은 데 이어 두 번째다.

하이닉스 측은 “인텔의 인증을 받는 것은 새로 개발된 D램이 상용화에 적합하며 기술적으로 안정적이라는 반도체 시장의 공인과 마찬가지여서 제품 생산과 사업화에 중요한 의미를 갖는다”고 설명했다.

회사 측에 따르면 이번에 개발한 54nm 1Gb DDR2 D램은 정보처리 속도가 초당 800Mbps(메가비트)에 이르는 초고속 제품이다.

또 “54nm 공정을 적용했기 때문에 현재의 66nm 공정에 비해 생산성이 50% 이상 향상된다”며 “이에 따라 아직 70∼80나노급 제품의 양산에 머물러 있는 해외 D램 경쟁업체들과 비교할 경우 2배 이상 생산성이 높아진 것과 같은 효과”라고 회사 측은 덧붙였다.

반도체 업계는 국내 기업인 삼성전자와 하이닉스가 50나노 제품의 양산을 먼저 시작함에 따라 이들 기업의 세계 D램 시장 지배력이 강화될 것으로 보고 있다.

최근 미국의 시장조사기관인 아이서플라이의 올해 3분기(7∼9월) 세계 D램 시장 예비 조사 결과에 따르면 이 두 기업의 세계 시장점유율은 합해서 50.5%로 전체의 절반을 넘어섰다.

특히 반도체 전문가들은 “올해 D램 시장에서 7%가량을 차지했던 1Gb D램 제품의 비중이 내년 30%가량으로 늘어날 것으로 예상돼 삼성전자와 하이닉스의 시장 경쟁력은 더욱 뚜렷해질 것”이라고 예상했다.

반도체 업계에서는 삼성전자, 하이닉스를 따라잡기 위해 제휴를 추진 중인 일본의 엘피다, 대만의 난야, 프로모스 등 후발 기업들의 대응 전략도 조만간 구체화될 것으로 보고 있다.

임우선 기자 imsun@donga.com