70nm로 만든 1기가비트 낸드 생산시작

삼성전자는 반도체 회로선의 폭을 70nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)로 만든 1기가비트(Gb) 원 낸드(One NAND) 생산을 시작했다고 4일 밝혔다.

원 낸드는 하나의 칩에 다양한 메모리와 논리 회로 등 비(非) 메모리 반도체를 함께 넣어 성능을 크게 향상시키고 부피는 줄인 차세대 퓨전 반도체 제품이다.

이 회사는 70나노 공정을 적용하면 기존의 90나노 제품 때보다 생산성이 70%정도 향상되며 제품의 읽기 속도도 60% 빨라진다고 설명했다.

삼성전자 측은 "70나노 공정의 원 낸드 생산으로 원가 경쟁력을 더욱 높일 수 있게 됐다"며 "세트 업체 입장에서도 제품 성능 향상과 슬림화가 가능해졌다"고 말했다.

원 낸드는 현재 휴대전화에 주로 쓰이고 있지만 앞으로는 디지털 카메라와 디지털TV 등으로 사용 영역이 넓어질 전망이다.

삼성전자는 지난 달 원 낸드를 이용한 초고속 메모리 카드를 반도체 업계 최초로 발표했다. 내년에는 모바일 제품 뿐 아니라 개인용 컴퓨터(PC) 시장까지 진출할 수 있을 것으로 이 회사는 전망하고 있다.

삼성전자는 원 낸드 시장이 2007년 10억 달러(약 1조 원), 2010년 15억 달러 수준으로 성장할 것으로 보고 있다.

이상록기자 myzodan@donga.com