하이닉스 반도체, Fe램 상용화기술 개발

하이닉스반도체는 차세대 이동통신용 및 시스템온칩(SoC)용 메모리에 적합한 고집적 강유전체 메모리(Fe램)의 상용화 기술 개발에 성공했다고 9일 밝혔다. Fe램은 D램과 같은 집적도와 S램과 같은 고속 동작이 가능하면서도 플래시 메모리처럼 전원이 꺼져도 기록된 정보를 유지할 수 있는 메모리 반도체. D램, S램, 플래시 메모리의 장점을 한데 모은 차세대 반도체로 꼽힌다.

이번에 개발한 제품은 0.25μm의 미세 가공기술을 적용한 4메가 및 8메가 Fe램 샘플로 3.0V의 동작 전압에서 70나노초(1나노초는 10억분의 1초)의 빠른 속도로 쓰기와 읽기가 가능하다.

홍석민기자 smhong@donga.com