[컴퓨터]삼성전자, 576메가 램버스D램 첫개발

삼성전자는 세계 최초로 576메가 램버스D램의 개발에 성공해 내년 2·4분기(4∼6월)부터 양산할 예정이라고 27일 발표했다.

576메가D램은 작동속도가 빨라 초고속 대용량 메모리를 필요로 하는 고성능 컴퓨터, 워크스테이션, 대형서버, 게임기, 셋톱박스 등에 주로 사용된다.

삼성전자는 이 제품에 회로선폭 0.12㎛(마이크로미터·1㎛〓1000분의 1㎜)의 미세 공정기술을 적용해 기존의 256메가 램버스D램에 비해 원가경쟁력을 크게 높이고 칩의 크기도 줄였다고 밝혔다.

특히 이번에 개발된 0.12㎛ 공정기술을 현재 0.15㎛ 공정인 256메가 및 128메가 램버스D램에 적용할 경우 웨이퍼당 칩 수가 47% 가량 증가해 생산성을 높이는 효과도 기대된다고 설명했다. 삼성전자는 올 상반기에 세계 램버스D램 시장의 60%를 차지했으며 이번 제품개발로 램버스D램, DDR, SD램 등 D램 전 제품에서 경쟁업체와의 기술격차를 더욱 벌릴 수 있게 됐다.한편 램버스D램의 가격은 세계적인 반도체 불황에도 불구하고 현물시장에서 수요가 늘면서 8월말 모듈 1개에 34달러에서 최근 47달러로 38% 가량 상승했다.

<박원재기자>parkwj@donga.com