[정보통신]삼성전자, IMT-2000 용 저전력 S램 개발

삼성전자는 기존 제품보다 생산성을 50% 가량 향상시키고 제품크기를 30% 이상 줄일 수 있는 IMT-2000 휴대전화용 저전력형 S램을 세계 최초로 개발했다.

삼성전자는 19일 0.13㎛(100만분의 1 미터)급 미세공정기술을 적용한 IMT-2000 휴대전화용 8Mb(메가비트) 저전력형 S램을 개발했다고 발표했다.

이번에 개발된 저전력형 S램은 1㎂(마이크로 암페어) 이하의 저소비전류, 2.5V에서 55ns(10억분의1초)의 고속 데이터 처리능력을 동시에 갖고 있어 특히 차세대 이동통신인 IMT-2000 휴대전화에 적합하다는 삼성전자측 설명이다.

삼성전자는 이번에 0.13㎛급 미세공정기술 적용을 시작으로 내년에 0.10㎛, 2003년에 0.08㎛급 S램 제품을 개발할 계획이다.이에 따라 95년부터 지켜 온 S램 반도체 1위 자리를 8년째 유지할 것으로 전망했다.

삼성전자는 이번 0.13㎛의 8Mb S램을 내년초부터 본격적으로 양산할 계획이다.

한편 삼성전자는 올해 S램에서 23억달러의 매출과 세계시장 점유율 30%를 목표로 하고 있다.

이국명<동아닷컴 기자>lkmhan@donga.com