현대전자, 초소형 256메가SD램 개발 성공

현대전자는 30일 회로선폭 0.14㎛(1㎛〓1백만분의 1m)을 적용한 256메가 싱크로너스D램(이하 SD램)을 개발했다고 밝혔다.

회로간 간격을 의미하는 회로선폭 0.14㎛ 공정기술을 적용해 반도체를 개발한 것은 세계에서 처음이라고 회사측은 설명했다. 회로선폭이 더욱 좁아짐으로써 다른 동급 제품에 비해 칩크기가 20% 이상 축소됐다.

현대전자 관계자는 “지난해 11월 회로선폭 0.15㎛ 기술을 적용한 256메가 SD램을 개발한 데 이어 0.14㎛급 256메가 SD램 생산기술을 확보, 256메가 SD램 시장에서 유리한 위치를 선점했다”고 말했다. 또 1기가급 D램을 양산하려면 0.14미크론 이하의 회로선폭 기술이 필요하기 때문에 1기가급 D램 양산 경쟁에서도 유리한 위치를 차지하게 됐다.

현대전자는 새 제품을 올해말부터 대량생산한다는 목표에 따라 현재 청주 반도체공장의 확대작업을 진행중이다. 256메가 SD램은 칩 하나에 신문지 2000장 또는 200자 원고지 8만4000장에 해당하는 데이터를 저장할 수 있다.

<성동기기자> esprit@donga.com