현대전자，１기가 싱크로너스Ｄ램 개발…세계 첫 ＳＯＩ이용

현대전자가 세계 최초로 실리콘 이중막웨이퍼(SOI)를 이용한 1기가 싱크로너스D램 개발에 성공했다. 1기가D램 개발은 지난해 11월 삼성전자에 이어 두번째이지만 첨단기술인 SOI를 채용한 점과 정보전달시 병목현상을 획기적으로 해결한 싱크로너스방식으로는 세계 최초다. 일본의 NEC 등은 아직 이 제품을 발표하지 않았다. 金榮煥(김영환)현대전자사장은 12일 서울 계동 현대 사옥에서 기자간담회를 갖고 『현대전자가 선진 반도체 업체들을 물리치고 SOI기술을 이용한 개발에 최초로 성공했다』고 말했다. 일반 웨이퍼와 달리 새로 개발된 D램은 SOI를 이용, 1.8∼2.2V의 저전압 동작과 초고속데이터처리를 실현, 기존 방식의 웨이퍼를 이용한 1기가D램에 비해 처리속도가 20% 빠르다고 밝혔다. 이 제품은 머리카락 6백분의 1의 초정밀공정을 통해 성냥갑 3분의 1크기의 칩에 신문지 8천장 분량(정지화상 4백장, 음성정보 16시간)에 해당하는 정보를 저장할 수 있는 대용량 메모리 반도체다. 김사장은 『전자제품을 소형화하는데 저전압이 가장 중요한데 SOI는 저전압처리에 가장 효과적』이라며 『이 칩이 실용화될 2003년쯤에는 소형 멀티미디어 제품과 고선명(HD)TV, 위성통신 등 응용분야가 다양화할 것으로 기대된다』고 밝혔다. 한편 국내 반도체업계는 『SOI가 생산원가가 많이 들기 때문에 양산과정에서 비용을 얼마나 줄이느냐가 최대의 관건이 될 것』이라고 말했다. 〈박현진 기자〉