삼성 이어 하이닉스도 ‘7세대 HBM’ 샘플 공급… AI메모리 속도전

당초 하반기 예정서 시점 앞당겨
기존 6세대보다 성능-전력 개선
엔비디아 등 빅테크에 샘플 준듯
삼성-SK-마이크론 양산경쟁 속… 韓메모리 개발 시간표 빨라져

이달 8일 최태원 SK그룹 회장(왼쪽)이 한국을 찾은 젠슨 황 엔비디아 CEO와 서울 종로구 SK그룹 서린사옥에서 대화를 나누며 이동하고 있다. 이날 SK텔레콤은 엔비디아와 협력해 글로벌 시장을 겨냥한 AI 인프라 구축에 나선다고 밝혔다. SK텔레콤 제공

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’의 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다. 지난달 조기에 샘플을 공급한 삼성전자에 이어 SK하이닉스까지 예정보다 이른 시점에 HBM4E 샘플을 출하한 것이다. 한국 메모리 업계가 개발 시간표를 앞당기며 차세대 고성능 메모리 시장에서도 순항 중이라는 평가가 나온다.

● 개발 시간표 앞당겨 조기 공급

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18일 SK하이닉스는 “HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보였다”고 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 1분기(1∼3월) 실적 발표에서 “하반기(7∼12월) (HBM4E) 샘플 공급에 나설 계획”이라며 “내년(2027년) 양산을 목표로 순조롭게 개발하고 있다”고 밝힌 바 있다. 당초 계획보다 샘플 공급 시점을 앞당긴 것이다. 삼성전자 역시 3분기(7∼9월)로 예고했던 샘플 공급을 앞당겨 지난달 말 고객사에 HBM4E 샘플을 전달했다. 엔비디아 등 AI 칩에 HBM을 탑재하는 빅테크에 샘플이 공급된 것으로 전해졌다.

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SK 하이닉스, ‘7세대’ HBM4E

SK하이닉스는 HBM4E가 직전 세대인 HBM4보다 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올린 제품이라고 설명했다. 데이터 처리 속도는 핀당 최대 16Gbps(초당 기가비트)를 지원하고 에너지 효율은 전작보다 20% 이상 개선됐다. 초당 데이터 처리량을 의미하는 대역폭은 최대 4.0TB/s(초당 테라바이트)로 앞서 삼성전자가 공개한 HBM4E의 대역폭(최대 3.6TB/s)보다 제원상 성능이 좋다. D램과 그래픽처리장치(GPU)를 연결하면서 HBM의 두뇌 역할을 수행하는 ‘로직 다이’의 경우 고객사의 요청에 따라 대만 TSMC의 3nm 공정까지 활용하는 것으로 알려져 있다. 삼성전자의 경우는 자체 파운드리의 4nm 공정을 쓴다.

하이닉스는 앞선 세대에서 인정받은 양산성을 바탕으로 실제 양산 납품까지 속도를 내겠다는 방침이다. SK하이닉스는 “HBM3, HBM3E, HBM4로 이어지는 양산, 공급 경험을 바탕으로 고객 요구에 최적화된 메모리를 적기에 제공해 왔다”며 “시장에서 검증된 품질과 공급 역량으로 HBM4E에서도 고객과 함께 AI 시스템의 병목을 해소해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

● HBM 속도전 나선 K메모리

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삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 메모리 기업들이 계획보다 빠르게 HBM4E 샘플을 공급하며 2027년 본격화될 양산 경쟁에서 마이크론보다 우위를 확보했다는 평가가 나온다. HBM은 고객사와 샘플을 계속해서 주고받으며 성능과 수율을 맞춰 나가는 ‘최적화’ 기간이 반드시 필요하다. 또한 HBM을 필요로 하는 글로벌 빅테크들이 각자 자체 AI 칩을 개발하며 HBM 시장의 트렌드가 ‘고객사 맞춤형’으로 바뀌었다. 샘플 출하 시기가 빠를수록 고객사와 소통하며 빠르게 최적화에 다가갈 수 있어 양산 납품에도 유리한 구조다.

마이크론도 올 하반기 HBM4E 샘플을 출하할 것으로 예상된다. 마이크론 역시 삼성전자와 SK하이닉스처럼 1c 공정(10nm급 6세대 공정)을 활용할 것으로 예상하고 있다. 마이크론의 마니시 바티아 글로벌 운영 담당 부사장은 최근 JP모건 주최 콘퍼런스에서 “HBM4E 개발은 순조롭게 진행 중이며, 2027년 램프업(가동률 점진 확대)을 예상한다”고 밝힌 바 있다.