하이닉스, 54nm 공정 앞당겨 적용

하이닉스반도체가 메모리반도체 생산 공정기술의 향상 시기를 앞당겨 올해 관련업계 수익성 1위 기업이 되겠다고 선언했다. 이번 결정이 ‘17분기 연속 흑자 행진’을 중단시킨 지난해 4분기(10∼12월)의 실적 부진을 극복하는 계기가 될지 주목된다.

하이닉스는 10일 “D램 반도체는 54nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 공정을 적용한 1Gb(기가비트) DDR2 제품을 이르면 2분기(4∼6월)에 개발해 3분기(7∼9월)부터 양산하겠다”고 밝혔다.

현재 주력 D램 제품은 66nm 공정으로 만들어진다.

하이닉스는 44nm 1Gb DDR3 제품 개발도 내년 상반기(1∼6월)에 완료할 계획이다.

이 회사 관계자는 “60nm급 공정에서 50nm, 40nm급으로 발전할 때마다 웨이퍼(반도체 원판)에서 생산되는 반도체 칩 수가 약 45%씩 늘어난다”며 “나노 공정기술의 향상 시기를 당초 계획보다 1∼3개월 앞당길 것”이라고 설명했다.

부형권 기자 bookum90@donga.com