차세대 메모리 64Mb P램… 삼성전자, 첫 시제품 내놔

사진제공 삼성전자

삼성전자는 세계 최초로 차세대 메모리 제품인 64메가비트(Mb)급 P램(Phase Change RAM·상변화 메모리)의 집적기술과 시제품을 개발하는 데 성공했다고 19일 밝혔다.

삼성전자 반도체연구소 차세대연구팀 김기남(金奇南) 전무는 “세계적인 반도체업체들이 P램을 연구 개발하고 있지만 시제품까지 만든 것은 이번이 처음”이라면서 “특히 64Mb P램은 지금까지 나온 차세대 메모리 제품 가운데 가장 용량이 큰 것”이라고 소개했다.

이번에 개발된 P램은 기존 D램 생산설비로도 제조할 수 있고 제조 공정도 종전의 메모리 반도체보다 단순해 원가 경쟁력이 우수한 것이 특징.

또 2.5V의 낮은 전압으로도 작동되며 플래시메모리에 비해 내구성이 1000배 강하고 85도의 고온에서 2년 이상 데이터를 보존할 수 있다고 회사측은 덧붙였다.

삼성전자는 이 제품의 신뢰성과 특성을 개선해 2006년 상용화할 계획이다.

또 이번 차세대 메모리 제품 개발을 계기로 P램, F램(Ferroelectric RAM·강유전 메모리), M램(Magnetic RAM·강자성 메모리) 등 차세대 메모리 시장에서도 기술적 우위와 높은 시장 점유율을 유지한다는 전략이다.

:P램:

‘게르마늄 안티몬 텔룰라이드(Ge2Sb2Te5)’라는 물질이 결정(結晶)상태와 비(非)결정상태로 바뀌는 변화를 이용해 정보를 기록하는 메모리 제품. 전원이 없어도 기록된 정보가 지워지지 않으며 집적도를 크게 높일 수 있어 D램 이후 대표적인 차세대 메모리로 촉망받고 있다.

박중현기자 sanjuck@donga.com