삼성전자, '저전력 16M D램' 메모리 반도체 세계 첫 개발

삼성전자는 차세대 무선단말기인 IMT 2000 단말기에 채용될 것으로 예상되는 메모리 반도체인 ‘저전력 16M S램’을 세계 최초로 개발했다고 25일 밝혔다.

새로 개발된 저전력 16M S램은 기존 단말기의 16M S램이 3V전압에서 작동되는데 비해 1.8V 저전압에서도 작동해 동화상 전송 속도가 배 가량 빨라지고 전력소모도 50% 가량 줄일 수 있다. 또 칩 크기를 기존 제품의 4분의 1로 줄이고 S램과 플래시 메모리를 하나의 패키지로 묶을 수 있도록 설계해 단말기 크기가 획기적으로 줄어들게 된다.

휴대전화에 사용되는 저전력형 S램 메모리 반도체는 내년에 전체 S램 시장의 34%, 2003년에는 48%를 차지할 것으로 예상돼 전체 S램 반도체 시장의 주력 제품으로 수요가 급증할 전망이다. 삼성전자는 16M 저전압 S램 시제품을 다음달 중 시판한 뒤 내년 2·4분기(4∼6월)부터 본격적으로 양산할 계획이다.

<구자룡기자>bonhong@donga.com