삼성전자 “2025년 2나노 제품 양산할 것”

  • 동아일보
  • 입력 2021년 10월 7일 03시 00분


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‘삼성 파운드리 포럼’ 연설서 밝혀
내년 상반기 3나노 양산 시작

“3나노미터(nm) 공정에서 안정적인 생산 수율을 확보했고 양산을 위한 준비가 이뤄지고 있다.”

최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장(사진)은 7일 온라인으로 개최한 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’ 기조연설에서 이같이 말했다. 최 사장은 “대규모 투자로 시스템반도체 생산 및 개발 역량을 확대하고 이를 통해 2025년 반도체 미세화 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술 게이트올어라운드(GAA) 기반의 2나노 제품을 양산할 것”이라고 덧붙였다.

삼성전자는 2030년까지 파운드리(반도체 수탁생산) 분야 1위 업체인 대만 TSMC를 제치고 시장점유율 1위를 차지하겠다는 목표를 내걸었다. 이를 위해 과감한 투자와 연구개발(R&D)에 집중하고 있다.

삼성전자는 내년 상반기(1∼6월)에 GAA 기술을 적용한 3나노 제품 양산을 시작할 것이라고 이날 밝혔다. 5나노 공정 대비 성능은 30% 높고 전력 소모 및 면적은 각각 50%와 35%씩 줄인 제품이다. 파운드리 분야 1위인 TSMC도 내년 3나노 제품 양산을 준비하고 있다. 두 회사 모두 현재 5나노 공정 제품을 양산 중이다.

이날 삼성전자는 핀펫(FinFET) 기반 17나노 신공정도 발표했다. 핀펫은 기존 평면 구조의 한계를 극복하기 위해 도입한 3차원 입체 구조의 공정 기술이다. 삼성전자 측은 “핀펫 기반 17나노 공정은 28나노 대비 성능은 39%, 전력효율은 49% 높고 면적은 43% 감소할 것으로 기대한다”고 밝혔다.

최 사장은 “GAA 등 첨단 미세공정뿐 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어갈 것”이라며 “공정 기술 및 라인 운영, 파운드리 서비스를 더욱 발전시켜 시장 경쟁력을 강화하겠다”고 말했다. 이날 포럼에는 역대 파운드리 포럼 중 가장 많은 500여 곳의 글로벌 팹리스 고객사가 사전에 등록해 참여했다.


서동일 기자 dong@donga.com
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